MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 60 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 145-8936
- Codice costruttore:
- IRLZ34NSTRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 145-8936
- Codice costruttore:
- IRLZ34NSTRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 60mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 68W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 25nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 11.3 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 60mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 68W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 25nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 4.83mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 11.3 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 30 A, dissipazione di potenza massima di 68 W - IRLZ34NSTRLPBF
Questo MOSFET a canale N ad alte prestazioni facilita la commutazione e l'amplificazione efficiente in varie applicazioni elettriche. Con una capacità di corrente di drenaggio continua di 30A e una tensione massima di drenaggio-sorgente di 55V, è adatto ad applicazioni automobilistiche, industriali e di elettronica di consumo. Il suo design a montaggio superficiale semplifica l'integrazione nei moderni circuiti stampati, rendendolo un componente chiave per una gestione efficace dell'alimentazione.
Caratteristiche e vantaggi
• Bassa tensione di soglia del gate per una maggiore velocità di commutazione
• Basso RDS(on) per un'efficiente dissipazione di potenza
• L'elevata resistenza termica consente il funzionamento a temperature elevate
• La dissipazione di potenza massima di 68 W contribuisce alla durata nel tempo
• La tecnologia di montaggio superficiale supporta progetti compatti
• Azionamento efficiente con elevata carica del gate a 5 V
Applicazioni
• Circuiti di alimentazione per una regolazione efficace della tensione
• Controllo dei motori che richiedono una rapida commutazione
• Convertitori DC-DC per una maggiore efficienza
• Strumentazione di precisione per prestazioni affidabili
• Settore automobilistico con esigenze di elevata affidabilità
Qual è la corrente continua massima che questo componente può gestire?
Il dispositivo può gestire una corrente di drenaggio continua massima di 30A.
Come gestisce le prestazioni termiche questo MOSFET?
Funziona a una temperatura massima di +175 °C, garantendo l'affidabilità in ambienti ad alta temperatura.
Può essere utilizzato in applicazioni automobilistiche?
Sì, la sua struttura robusta e la tolleranza alle alte temperature lo rendono adatto a vari circuiti automobilistici.
Che tipo di configurazioni di circuito può supportare?
Il MOSFET supporta configurazioni di transistor in modalità enhancement, ideali per le applicazioni di commutazione.
È compatibile con i progetti di circuiti a montaggio superficiale?
Sì, il tipo di package D2PAK (TO-263) consente una facile integrazione nelle applicazioni di montaggio superficiale e facilita il posizionamento sulle schede dei circuiti.
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