MOSFET Infineon, canale N 55 V, 60 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 145-8936
- Codice costruttore:
- IRLZ34NSTRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 800 unità, in una bobina da 800*
564,00 €
(IVA esclusa)
688,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- Spedizione a partire dal 18 gennaio 2027
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 0,705 € | 564,00 € |
| 1600 - 1600 | 0,67 € | 536,00 € |
| 2400 + | 0,628 € | 502,40 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 145-8936
- Codice costruttore:
- IRLZ34NSTRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 60mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -16V, +16V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 68W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 25nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 11.3mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 60mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -16V, +16V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 68W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 25nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 11.3mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Altezza 4.83mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 30 A, dissipazione di potenza massima di 68 W - IRLZ34NSTRLPBF
Caratteristiche e vantaggi
Applicazioni
Qual è la corrente continua massima che questo componente può gestire?
Come gestisce le prestazioni termiche questo MOSFET?
Può essere utilizzato in applicazioni automobilistiche?
Che tipo di configurazioni di circuito può supportare?
È compatibile con i progetti di circuiti a montaggio superficiale?
Link consigliati
- MOSFET Infineon 60 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IRLZ34NSTRLPBF
- MOSFET Infineon 60 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 60 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IRF5305STRLPBF
- MOSFET singoli Infineon 55 mΩ Miglioramento 7 Pin Superficie IPT60R055CM8XTMA1
- MOSFET Infineon 11 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 12 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 8 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 7.5 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
