MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 60 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRLZ34NSTRLPBF

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 20 unità*

13,88 €

(IVA esclusa)

16,94 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 860 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
20 - 800,694 €13,88 €
100 - 1800,659 €13,18 €
200 - 4800,631 €12,62 €
500 - 9800,603 €12,06 €
1000 +0,562 €11,24 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
915-5112
Codice Distrelec:
304-44-481
Codice costruttore:
IRLZ34NSTRLPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

60mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.83mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 30 A, dissipazione di potenza massima di 68 W - IRLZ34NSTRLPBF


Questo MOSFET a canale N ad alte prestazioni facilita la commutazione e l'amplificazione efficiente in varie applicazioni elettriche. Con una capacità di corrente di drenaggio continua di 30A e una tensione massima di drenaggio-sorgente di 55V, è adatto ad applicazioni automobilistiche, industriali e di elettronica di consumo. Il suo design a montaggio superficiale semplifica l'integrazione nei moderni circuiti stampati, rendendolo un componente chiave per una gestione efficace dell'alimentazione.

Caratteristiche e vantaggi


• Bassa tensione di soglia del gate per una maggiore velocità di commutazione

• Basso RDS(on) per un'efficiente dissipazione di potenza

• L'elevata resistenza termica consente il funzionamento a temperature elevate

• La dissipazione di potenza massima di 68 W contribuisce alla durata nel tempo

• La tecnologia di montaggio superficiale supporta progetti compatti

• Azionamento efficiente con elevata carica del gate a 5 V

Applicazioni


• Circuiti di alimentazione per una regolazione efficace della tensione

• Controllo dei motori che richiedono una rapida commutazione

• Convertitori DC-DC per una maggiore efficienza

• Strumentazione di precisione per prestazioni affidabili

• Settore automobilistico con esigenze di elevata affidabilità

Qual è la corrente continua massima che questo componente può gestire?


Il dispositivo può gestire una corrente di drenaggio continua massima di 30A.

Come gestisce le prestazioni termiche questo MOSFET?


Funziona a una temperatura massima di +175 °C, garantendo l'affidabilità in ambienti ad alta temperatura.

Può essere utilizzato in applicazioni automobilistiche?


Sì, la sua struttura robusta e la tolleranza alle alte temperature lo rendono adatto a vari circuiti automobilistici.

Che tipo di configurazioni di circuito può supportare?


Il MOSFET supporta configurazioni di transistor in modalità enhancement, ideali per le applicazioni di commutazione.

È compatibile con i progetti di circuiti a montaggio superficiale?


Sì, il tipo di package D2PAK (TO-263) consente una facile integrazione nelle applicazioni di montaggio superficiale e facilita il posizionamento sulle schede dei circuiti.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.