MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 12 mΩ Miglioramento, 86 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRL3705ZSTRLPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
915-5073
Codice costruttore:
IRL3705ZSTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

86A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

40nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Dissipazione di potenza massima Pd

130W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Altezza

4.83mm

Larghezza

11.3 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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