MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 7.5 mΩ Miglioramento, 94 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
165-8196
Codice costruttore:
IRF1010ZSTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

94A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

140W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

-1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.83mm

Larghezza

11.3 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di drenaggio continua massima 94A, dissipazione di potenza massima 140W - IRF1010ZSTRLPBF


Questo MOSFET a montaggio superficiale offre prestazioni eccezionali in varie applicazioni. Creato da Infineon, sfrutta tecniche di elaborazione avanzate per offrire una bassa resistenza all'accensione e un'elevata capacità di gestione della corrente. La sua efficacia in ambienti ad alta temperatura lo rende un componente importante per i professionisti dei settori dell'automazione, dell'elettronica, dell'elettricità e della meccanica.

Caratteristiche e vantaggi


• L'elevata corrente di drenaggio continua di 94A supporta applicazioni con carichi consistenti

• Il basso valore di RDS(on) di 7,5mΩ riduce al minimo le perdite di potenza e migliora l'efficienza

• La tensione massima di drain-source di 55 V consente una certa flessibilità di progettazione

• Elevata affidabilità con una temperatura operativa massima di 175°C

• Le capacità di commutazione rapida riducono i ritardi nella risposta del circuito

• La configurazione a canale N è adatta a progetti elettronici avanzati

Applicazioni


• Utilizzato nei sistemi di gestione e conversione dell'energia

• Impiegato nei circuiti di controllo dei motori per le tecnologie di automazione

• Adatto per progetti di alimentazione che richiedono un'elevata efficienza

• Integrale nell'elettronica di potenza dei veicoli elettrici

• Utilizzato nei sistemi di energia rinnovabile per una conversione efficace dell'energia

Quali sono le implicazioni della bassa resistenza all'accensione?


La bassa resistenza di accensione, pari a 7,5mΩ, garantisce una generazione minima di calore durante il funzionamento, con conseguente aumento dell'efficienza e riduzione dei requisiti di raffreddamento.

Come si comporta questo MOSFET in ambienti ad alta temperatura?


Supporta temperature operative massime fino a 175°C, rendendolo adatto a condizioni difficili senza compromettere le prestazioni.

Che tipo di montaggio è necessario per questo componente?


Questo dispositivo è progettato per applicazioni a montaggio superficiale, consentendo un layout compatto e una gestione termica efficiente sui circuiti stampati.

È in grado di gestire efficacemente le correnti pulsate?


Sì, è dotato di una corrente di drenaggio pulsata di 360A, che gli consente di gestire in modo efficiente le condizioni transitorie.

Quali caratteristiche devo considerare per la compatibilità dei circuiti?


Assicurarsi che la tensione di soglia del gate sia compresa tra 2V e 4V per garantire un corretto comportamento di commutazione nel progetto del circuito.

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