MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 5 mΩ Miglioramento, 169 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 913-3831
- Codice costruttore:
- IRF1405PBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 tubo da 50 unità*
54,60 €
(IVA esclusa)
66,60 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 200 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,092 € | 54,60 € |
| 100 - 200 | 1,038 € | 51,90 € |
| 250 - 450 | 0,994 € | 49,70 € |
| 500 - 950 | 0,928 € | 46,40 € |
| 1000 + | 0,874 € | 43,70 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 913-3831
- Codice costruttore:
- IRF1405PBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 169A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 170nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 330W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 8.77mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Larghezza | 4.83 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 169A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 170nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 330W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 8.77mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Larghezza 4.83 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- PH
MOSFET Infineon serie HEXFET, 169A di corrente di scarico continua massima, 330W di dissipazione di potenza massima - IRF1405PBF
Questo MOSFET è destinato a varie applicazioni e offre prestazioni elevate nelle soluzioni di gestione dell'alimentazione. Grazie alle sue specifiche robuste e alle tecniche di lavorazione avanzate, è un componente chiave nei settori dell'automazione e dell'elettronica. La capacità di gestire correnti e tensioni elevate lo rende indispensabile per numerosi processi industriali.
Caratteristiche e vantaggi
• La corrente di drenaggio continua massima di 169A migliora la durata
• Valutato per 55 V, garantisce il funzionamento in condizioni di alta tensione
• La bassa resistenza di accensione, pari a 5mΩ, riduce al minimo la perdita di potenza durante il funzionamento
• La capacità di commutazione rapida aumenta l'efficienza del sistema
• Modalità di potenziamento per un funzionamento ottimale
Applicazioni
• Utilizzato negli azionamenti dei motori industriali per un controllo efficiente
• Adatto per correnti elevate negli alimentatori
• Ideale per l'azionamento dei motori delle apparecchiature di automazione
• Efficace nei convertitori e negli inverter per i sistemi di energia rinnovabile
Qual è il limite massimo di tensione gate-source?
La tensione massima gate-to-source è di ±20V, per garantire un funzionamento sicuro.
Come gestisce questo dispositivo la gestione termica?
Funziona efficacemente fino a 175°C, garantendo affidabilità in condizioni di alta temperatura.
Quali sono i fattori da considerare durante l'installazione?
Assicurare una coppia di montaggio adeguata e tenere conto della resistenza termica del dissipatore per mantenere prestazioni efficienti.
Può essere utilizzato in applicazioni di commutazione?
Sì, è dotato di funzionalità di commutazione rapida adatte alle applicazioni ad alta velocità, riducendo il tempo di risposta.
Quali valori di carica del gate si possono prevedere durante il funzionamento?
La carica tipica del gate è di 170nC a 10V, il che facilita tempi rapidi di accensione e spegnimento.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 5 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRF1405PBF
- MOSFET Infineon 7 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 4.9 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 60 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 12 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 14 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 22 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 175 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
