MOSFET Infineon, canale N 55 V, 40 mΩ Miglioramento, 29 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Al momento non disponibile
Siamo spiacenti, ma non sappiamo quando questo prodotto sarà di nuovo disponibile.
Codice RS:
919-4766
Codice costruttore:
IRFZ34NPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

29A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.54mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

8.77mm

Larghezza

4.4mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 29 A, dissipazione di potenza massima di 68 W - IRFZ34NPBF


Questo MOSFET è stato concepito per applicazioni elettroniche avanzate, in particolare quando sono essenziali un'elevata efficienza e affidabilità. La sua configurazione a canale N facilita la commutazione e la modulazione efficiente delle correnti elettriche nei sistemi di potenza. Con una tensione massima di drain-source di 55 V e una corrente di drain continua di 29 A, questo componente è fondamentale per i progetti ad alte prestazioni nei settori dell'automazione e dell'elettricità.

Caratteristiche e vantaggi


• Resistenza di accensione ultrabassa per una perdita di potenza minima

• Dissipazione di potenza massima di 68 W per una funzionalità robusta

• La tolleranza alle alte temperature, fino a 175°C, garantisce prestazioni a lungo termine

• Compatibile con il montaggio a foro passante per una facile integrazione

• La valutazione dinamica dv/dt consente applicazioni di commutazione rapida

• Il transistor in modalità enhancement migliora l'efficienza del dispositivo

Applicazioni


• Utilizzato nei progetti di alimentazione per una gestione efficace dell'energia

• Impiegato nel controllo motorio per una regolazione accurata della velocità

• Adatto per la commutazione discreta nell'elettronica di consumo

• Applicato all'automazione industriale per migliorare l'affidabilità del sistema

• Adatto per il settore automobilistico che richiedono una gestione di potenza elevata

Qual è la corrente di drenaggio massima continua a 100°C?


A 100°C, la corrente di drenaggio continua è di 20A, per garantire l'affidabilità in condizioni di temperatura elevata.

In che modo la bassa resistenza di accensione favorisce l'efficienza del circuito?


Un RDS(on) basso riduce le perdite di potenza durante il funzionamento, aumentando l'efficienza complessiva del circuito e riducendo al minimo la generazione di calore.

Può essere utilizzato per configurazioni parallele?


Sì, il design consente un facile parallelismo, migliorando la gestione della corrente per le applicazioni ad alta potenza.

Quali sono le implicazioni della tensione massima gate-source?


La tensione massima di gate-source di ±20V garantisce un funzionamento sicuro e protegge dai danni durante le attività di commutazione standard.

Qual è l'impatto della temperatura sulle prestazioni?


Con un intervallo di temperatura operativa da -55°C a +175°C, mantiene l'integrità operativa in condizioni estreme, rendendolo adatto a una varietà di applicazioni.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.