MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 40 mΩ Miglioramento, 29 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRFZ34NPBF
- Codice RS:
- 540-9761
- Codice Distrelec:
- 303-41-382
- Codice costruttore:
- IRFZ34NPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 unità*
0,38 €
(IVA esclusa)
0,46 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 258 unità in spedizione dal 22 giugno 2026
- Più 115 unità in spedizione dal 29 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 + | 0,38 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 540-9761
- Codice Distrelec:
- 303-41-382
- Codice costruttore:
- IRFZ34NPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 29A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 40mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 68W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 34nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.54mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 8.77mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 29A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 40mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 68W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 34nC | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.54mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 8.77mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 29 A, dissipazione di potenza massima di 68 W - IRFZ34NPBF
Questo MOSFET è stato concepito per applicazioni elettroniche avanzate, in particolare quando sono essenziali un'elevata efficienza e affidabilità. La sua configurazione a canale N facilita la commutazione e la modulazione efficiente delle correnti elettriche nei sistemi di potenza. Con una tensione massima di drain-source di 55 V e una corrente di drain continua di 29 A, questo componente è fondamentale per i progetti ad alte prestazioni nei settori dell'automazione e dell'elettricità.
Caratteristiche e vantaggi
• Resistenza di accensione ultrabassa per una perdita di potenza minima
• Dissipazione di potenza massima di 68 W per una funzionalità robusta
• La tolleranza alle alte temperature, fino a 175°C, garantisce prestazioni a lungo termine
• Compatibile con il montaggio a foro passante per una facile integrazione
• La valutazione dinamica dv/dt consente applicazioni di commutazione rapida
• Il transistor in modalità enhancement migliora l'efficienza del dispositivo
Applicazioni
• Utilizzato nei progetti di alimentazione per una gestione efficace dell'energia
• Impiegato nel controllo motorio per una regolazione accurata della velocità
• Adatto per la commutazione discreta nell'elettronica di consumo
• Applicato all'automazione industriale per migliorare l'affidabilità del sistema
• Adatto per il settore automobilistico che richiedono una gestione di potenza elevata
Qual è la corrente di drenaggio massima continua a 100°C?
A 100°C, la corrente di drenaggio continua è di 20A, per garantire l'affidabilità in condizioni di temperatura elevata.
In che modo la bassa resistenza di accensione favorisce l'efficienza del circuito?
Un RDS(on) basso riduce le perdite di potenza durante il funzionamento, aumentando l'efficienza complessiva del circuito e riducendo al minimo la generazione di calore.
Può essere utilizzato per configurazioni parallele?
Sì, il design consente un facile parallelismo, migliorando la gestione della corrente per le applicazioni ad alta potenza.
Quali sono le implicazioni della tensione massima gate-source?
La tensione massima di gate-source di ±20V garantisce un funzionamento sicuro e protegge dai danni durante le attività di commutazione standard.
Qual è l'impatto della temperatura sulle prestazioni?
Con un intervallo di temperatura operativa da -55°C a +175°C, mantiene l'integrità operativa in condizioni estreme, rendendolo adatto a una varietà di applicazioni.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 40 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 7 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 14 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 10 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 4.7 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 20 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 5 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 60 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
