MOSFET Infineon, canale N, 4 mΩ, 160 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 124-9003
Codice costruttore:: IRFB3306PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 4 mΩ, 160 A, TO-220AB, Su foro

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)**

1,241 €

(IVA esclusa)

1,514 €

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Unità	Per unità	Per stecca**
50 +	1,241 €	62,05 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 124-9003
Codice costruttore:: IRFB3306PBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	160 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	230 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	85 nC a 10 V
Lunghezza	10.66mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.82mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.02mm

MOSFET Infineon, canale N, 4 mΩ, 160 A, TO-220AB, Su foro

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