MOSFET Infineon, canale N, 4 mΩ, 160 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 688-6910
Codice costruttore:: IRFB3306PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 4 mΩ, 160 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:: 688-6910
Codice costruttore:: IRFB3306PBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	160 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	230 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	85 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	10.66mm
Larghezza	4.82mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.02mm

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