MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 100 mΩ Miglioramento, 17 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRL530NPBF

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Codice RS:
541-1203
Codice costruttore:
IRL530NPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

17A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-220

Serie

LogicFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

100mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

79W

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.54mm

Altezza

8.77mm

Larghezza

4.69 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

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