MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 90 mΩ Miglioramento, 17 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Codice RS:: 919-4842
Codice costruttore:: IRF530NPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 90 mΩ Miglioramento, 17 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Unità	Per unità	Per Tubo*
50 - 50	0,678 €	33,90 €
100 - 200	0,522 €	26,10 €
250 - 450	0,488 €	24,40 €
500 - 1200	0,454 €	22,70 €
1250 +	0,42 €	21,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 919-4842
Codice costruttore:: IRF530NPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	17A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	TO-220
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	90mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	37nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Dissipazione di potenza massima Pd	70W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Larghezza	4.69 mm
	Altezza	8.77mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	10.54mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 17A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package TO-220
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 90mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 37nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Dissipazione di potenza massima Pd 70W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Larghezza 4.69 mm
	Altezza 8.77mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 10.54mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 17 A, dissipazione di potenza massima di 70 W - IRF530NPBF

Questo MOSFET ad alta potenza è progettato per applicazioni di commutazione efficienti e offre prestazioni robuste in vari ambienti. La sua configurazione in modalità enhancement a canale N lo rende adatto a numerose applicazioni elettroniche ed elettriche in cui è fondamentale un'efficace gestione della corrente. Le specifiche chiave ne fanno un componente importante nei moderni sistemi di automazione e controllo.

Caratteristiche e vantaggi

• La bassa resistenza di accensione di 90mΩ aumenta l'efficienza

• Gestione della corrente di drenaggio massima di 17A

• Temperatura di funzionamento da -55°C a +175°C

• La velocità di commutazione riduce le perdite di energia

• Il design robusto migliora l'affidabilità sotto carico

• Il versatile pacchetto TO-220AB semplifica l'integrazione

Applicazioni

• Gestione dell'alimentazione nell'automazione industriale

• Integrazione nei circuiti di controllo dei motori

• Utilizzo nei sistemi di alimentazione per la regolazione della tensione

• Applicazione in convertitori e inverter ad alta efficienza

• Adatto all'elettronica di consumo che richiede un supporto di carico dinamico

Esiste una tensione specifica del gate necessaria per un funzionamento ottimale?

Il dispositivo funziona efficacemente con un intervallo di tensione gate-source compreso tra -20V e +20V, garantendo una funzionalità di commutazione affidabile.

Qual è la capacità massima di corrente di drenaggio a impulsi di questo dispositivo?

La corrente di drenaggio pulsata massima è stimata a 60A, consentendo di affrontare condizioni transitorie senza compromettere l'integrità del dispositivo.

In che modo i valori di resistenza termica influiscono sulle prestazioni?

Con una resistenza termica tra giunzione e involucro di 2,15°C/W, un'efficace dissipazione del calore è fondamentale per mantenere le prestazioni durante il funzionamento ad alto carico.

Quali considerazioni devo fare per saldare questo componente?

La temperatura di saldatura consigliata è di 300°C per una durata di 10 secondi. È importante attenersi a questa linea guida per evitare danni.

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon

La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.