MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 90 mΩ Miglioramento, 17 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF530NSTRLPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
831-2837
Codice Distrelec:
304-44-446
Codice costruttore:
IRF530NSTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

17A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

90mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

70W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.83mm

Larghezza

9.65 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon


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