MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 100 mΩ Miglioramento, 17 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB17N25S3100ATMA1

Codice RS:: 826-9002
Codice costruttore:: IPB17N25S3100ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 100 mΩ Miglioramento, 17 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB17N25S3100ATMA1

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Codice RS:: 826-9002
Codice costruttore:: IPB17N25S3100ATMA1
Costruttore:: Infineon

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Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	17A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	250V
	Tipo di package	TO-263
	Serie	OptiMOS-T
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	100mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	0.9V
	Dissipazione di potenza massima Pd	107W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	14nC
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Altezza	4.4mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	10mm
	Larghezza	9.25mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 17A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V
	Tipo di package TO-263
	Serie OptiMOS-T
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 100mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 0.9V
	Dissipazione di potenza massima Pd 107W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 14nC
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Altezza 4.4mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 10mm
	Larghezza 9.25mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

Non applicabile

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™T

I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.

Canale N - modalità potenziata

Qualifica per uso automobilistico AEC Q101

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Prodotto non inquinante (conformità RoHS)

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 100 mΩ Miglioramento, 17 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB17N25S3100ATMA1

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MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™T

Transistor MOSFET, Infineon

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