MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 20 mΩ Miglioramento, 64 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Codice RS:: 165-8068
Codice costruttore:: IPB200N25N3GATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 20 mΩ Miglioramento, 64 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

3758,00 €

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Codice RS:: 165-8068
Codice costruttore:: IPB200N25N3GATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	64A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	250V
	Tipo di package	TO-263
	Serie	OptiMOS 3
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	20mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	300W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Tensione diretta Vf	1V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	64nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	9.45mm
	Lunghezza	10.31mm
	Altezza	4.57mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 64A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V
	Tipo di package TO-263
	Serie OptiMOS 3
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 20mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 300W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Tensione diretta Vf 1V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 64nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 9.45mm
	Lunghezza 10.31mm
	Altezza 4.57mm
	Standard automobilistico No

Non applicabile

Paese di origine:: CN

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corrente di scarico continua massima di 64 A, dissipazione di potenza massima di 300 W - IPB200N25N3GATMA1

Questo MOSFET a canale N è progettato per una gestione efficiente dell'alimentazione in varie applicazioni elettroniche, con una corrente di drenaggio continua massima di 64A e una tensione nominale di 250V. Le sue robuste prestazioni termiche e la bassa resistenza di accensione contribuiscono a garantire prestazioni elettriche efficaci in un ampio intervallo di temperature, rendendolo adatto alla commutazione ad alta frequenza e al raddrizzamento sincrono.

Caratteristiche e vantaggi

• Il prodotto ottimale carica del gate x RDS(on) aumenta l'efficienza

• La bassa resistenza di accensione riduce al minimo le perdite di potenza durante il funzionamento

• La temperatura operativa fino a +175°C consente di realizzare diverse applicazioni

• Conforme agli standard RoHS e senza alogeni per un utilizzo ecologico

• Il design compatto D2PAK e il montaggio in superficie facilitano l'integrazione

• Qualificati secondo JEDEC per l'affidabilità nelle applicazioni target

Applicazioni

• Utilizzato negli alimentatori per sistemi di automazione

• Adatta per i convertitori ad alta efficienza nelle energie rinnovabili

• Impiegato nel controllo dei motori per macchinari industriali

• Ideale per il raddrizzamento sincrono negli alimentatori da tavolo

• Applicato ai veicoli elettrici per una gestione efficace dell'energia

Quali sono le misure da adottare per garantire prestazioni ottimali durante l'installazione?

È importante mantenere un sistema di gestione termica efficace per dissipare il calore, garantendo il funzionamento del dispositivo entro i limiti di temperatura specificati.

Questo componente può essere utilizzato in applicazioni che richiedono una commutazione rapida?

Sì, è adatto per applicazioni ad alta frequenza come i convertitori DC-DC e i driver, grazie alle sue capacità di commutazione rapida.

Esiste un circuito specifico consigliato per un utilizzo ottimale?

Un circuito gate driver adeguato può migliorare le prestazioni, soprattutto in termini di tempi di accensione e spegnimento, contribuendo a ridurre le perdite di commutazione.

Quali sono le condizioni ambientali da considerare durante il funzionamento?

Assicurarsi che sia collocato in un ambiente in cui le temperature rimangano entro i limiti operativi da -55°C a +175°C per evitare la degradazione termica.

Come si comporta questo MOSFET in condizioni di carico elevato?

Gestisce in modo efficiente una corrente di drain continua di 64A mantenendo una bassa resistenza di accensione, riducendo così il surriscaldamento e migliorando l'affidabilità sotto carico.