MOSFET Infineon, canale N, 54 A, TO-263-7, Montaggio superficiale

Il MOSFET Infineon SiC è un CoolSiC da 650 V costruito sulla tecnologia in carburo di silicio solido, sfruttando le caratteristiche del materiale SiC ad ampio gap di banda. Il MOSFET CoolSiC da 650 V offre una combinazione unica di prestazioni, affidabilità e facilità d'uso, adatto per le alte temperature e le operazioni difficili, consente l'implementazione semplificata e conveniente della massima efficienza del sistema.

Comportamento di commutazione ottimizzato a correnti più elevate
Diodo corpo rapido di commutazione robusto con basso Qf
Ossido di gate affidabilità superiore
Tj, max -175 °C e eccellente comportamento termico
Basso RDS(on) e dipendenza da corrente d'impulso in base alla temperatura
Maggiore capacità di avalanca
Compatibile con driver standard
La sorgente Kelvin fornisce perdite di commutazione fino a 4 volte inferiori