MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 3 mΩ N, 64 A, 7 Pin, TO-263, Superficie IMBG65R030M1HXTMA1
- Codice RS:
- 248-9313
- Codice costruttore:
- IMBG65R030M1HXTMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 248-9313
- Codice costruttore:
- IMBG65R030M1HXTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 64A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 75V | |
| Serie | IMBG | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 64A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 75V | ||
Serie IMBG | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Infineon SiC è un CoolSiC da 650 V costruito sulla tecnologia in carburo di silicio solido, sfruttando le caratteristiche del materiale SiC ad ampio gap di banda. Il MOSFET CoolSiC da 650 V offre una combinazione unica di prestazioni, affidabilità e facilità d'uso, adatto per le alte temperature e le operazioni difficili, consente l'implementazione semplificata e conveniente della massima efficienza del sistema.
Comportamento di commutazione ottimizzato a correnti più elevate
Diodo corpo rapido di commutazione robusto con basso Qf
Ossido di gate affidabilità superiore
Tj, max -175 °C e eccellente comportamento termico
Basso RDS(on) e dipendenza da corrente d'impulso in base alla temperatura
Maggiore capacità di avalanca
Compatibile con driver standard
La sorgente Kelvin fornisce perdite di commutazione fino a 4 volte inferiori
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