MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 3 mΩ N, 64 A, 7 Pin, TO-263, Superficie IMBG65R260M1HXTMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
248-9330
Codice costruttore:
IMBG65R260M1HXTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

64A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Tipo di package

TO-263

Serie

IMBG

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

N

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon SiC è un CoolSiC da 650 V costruito sulla tecnologia in carburo di silicio solido, sfruttando le caratteristiche del materiale SiC ad ampio gap di banda. Il MOSFET CoolSiC da 650 V offre una combinazione unica di prestazioni, affidabilità e facilità d'uso, adatto per le alte temperature e le operazioni difficili, consente l'implementazione semplificata e conveniente della massima efficienza del sistema.

Comportamento di commutazione ottimizzato a correnti più elevate

Diodo corpo rapido di commutazione robusto con basso Qf

Ossido di gate affidabilità superiore

Tj, max -175 °C e eccellente comportamento termico

Basso RDS(on) e dipendenza da corrente d'impulso in base alla temperatura

Maggiore capacità di avalanca

Compatibile con driver standard

La sorgente Kelvin fornisce perdite di commutazione fino a 4 volte inferiori

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