MOSFET Infineon, canale N 250 V, 60 mΩ Miglioramento, 25 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Codice RS:: 124-8755
Codice costruttore:: IPB600N25N3GATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 250 V, 60 mΩ Miglioramento, 25 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

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Codice RS:: 124-8755
Codice costruttore:: IPB600N25N3GATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	25A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	250V
	Serie	OptiMOS 3
	Tipo di package	TO-263
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	60mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Tensione diretta Vf	1V
	Dissipazione di potenza massima Pd	136W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	22nC
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Altezza	4.57mm
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	9.45mm
	Lunghezza	10.31mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 25A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V
	Serie OptiMOS 3
	Tipo di package TO-263
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 60mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Tensione diretta Vf 1V
	Dissipazione di potenza massima Pd 136W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 22nC
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Altezza 4.57mm
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 9.45mm
	Lunghezza 10.31mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET Infineon OptiMOS serie 3, tensione sorgente di drenaggio 250 V, corrente di drenaggio continua 25 A - IPB600N25N3GATMA1

Questo MOSFET è un transistor di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per la conversione di potenza e le attività di commutazione in sistemi elettronici impegnativi. Funziona su un ampio intervallo di temperatura ed è configurato per l'implementazione a montaggio superficiale, offrendo un ingombro compatto per la gestione termica in assemblaggi in cui sono richieste una robusta gestione della potenza e un controllo del gate.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale da drenaggio a sorgente di 250 V consente la commutazione ad alta tensione
• La resistenza di accensione di 60 mΩ riduce le perdite di conduzione e migliora l'efficienza
• La corrente di drenaggio continua di 25 A supporta il funzionamento a carichi elevati e sostenuti
• La dissipazione di potenza di 136 W consente una gestione termica significativa nei circuiti
• La carica del gate a 22 nC fornisce energia di commutazione e design di azionamento prevedibili
• Il limite gate-source 20 V consente margini di tensione gate-drive standard

Applicazioni

• Adatto per le fasi di commutazione primaria SMPS ad alta tensione
• Ideale per le gambe degli inverter per azionamento di motori industriali
• Utilizzato per convertitori CC-CC nei sistemi di alimentazione delle telecomunicazioni
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria e la topologia del caricabatterie
• Impiegato nella commutazione di potenza per impieghi generali su schede a montaggio superficiale

Quale intervallo termico può tollerare durante il funzionamento?

È classificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C, consentendo l'uso in ambienti con variazioni di temperatura estreme.

Quale tipo di contenitore facilita l'assemblaggio e il trasferimento del calore?

Viene fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO-263 che facilita il montaggio a saldare e offre un ampio cuscinetto termico per la diffusione del calore della resistenza.

Come si comporta il dispositivo per la progettazione di gate drive?

La carica gate tipica di 22 nC fornisce un'energia di commutazione quantificabile in base alle dimensioni dei driver gate e stima le perdite di commutazione.

Quali prestazioni di conduzione devono aspettarsi i progettisti sotto carico?

Con una resistenza massima specificata drain-source di 60 mΩ, i progettisti possono calcolare le perdite di conduzione per percorsi di corrente fino al valore nominale continuo di 25 A.