Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 60 mΩ Miglioramento, 25 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB600N25N3GATMA1

Codice RS:: 826-9204
Codice costruttore:: IPB600N25N3GATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 60 mΩ Miglioramento, 25 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB600N25N3GATMA1

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Codice RS:: 826-9204
Codice costruttore:: IPB600N25N3GATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	25A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	250V
	Tipo di package	TO-263
	Serie	OptiMOS 3
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	60mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1V
	Dissipazione di potenza massima Pd	136W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	22nC
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Altezza	4.57mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	10.31mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 25A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V
	Tipo di package TO-263
	Serie OptiMOS 3
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 60mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1V
	Dissipazione di potenza massima Pd 136W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 22nC
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Altezza 4.57mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 10.31mm
	Standard automobilistico No

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