MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.8 mΩ Miglioramento, 250 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
165-5484
Codice costruttore:
IRFS7437TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

250A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

150nC

Dissipazione di potenza massima Pd

230W

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Altezza

4.83mm

Larghezza

9.65 mm

Standard automobilistico

No

Non applicabile

Paese di origine:
MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 250 A, dissipazione di potenza massima di 230 W - IRFS7437TRLPBF


Questo MOSFET è destinato ad applicazioni ad alte prestazioni che richiedono una gestione efficiente della potenza. Viene utilizzato in diversi settori e offre caratteristiche di robustezza adatte ad ambienti difficili. La capacità di gestire livelli di corrente e tensione elevati lo rende adatto ad applicazioni tecnologiche avanzate.

Caratteristiche e vantaggi


• Supporta una corrente di drenaggio continua massima di 250A per applicazioni ad alta potenza

• Offre una tensione massima di drain-source di 40 V, garantendo l'affidabilità in diverse configurazioni

• Presenta una bassa Rds(on) di 1,4mΩ, che contribuisce a ridurre le perdite di potenza

• Progettato per il montaggio in superficie, semplifica l'installazione

• In grado di gestire applicazioni di commutazione rapida, per una maggiore efficienza

Applicazioni


• Adatto per l'azionamento di motori a spazzole

• Ideale per circuiti alimentati a batteria, per un utilizzo efficiente dell'energia

• Impiegato nelle topologie a mezzo ponte e a ponte intero per un controllo preciso

• Utilizzato nel raddrizzatore sincrono per migliorare il risparmio energetico

• Applicabile agli alimentatori in modalità risonante per prestazioni stabili

Come viene gestita la dissipazione di potenza durante il funzionamento?


La dissipazione di potenza è gestita con un valore massimo di 230 W, che garantisce la stabilità termica in condizioni di carico elevato.

Qual è il significato del basso valore di Rds(on)?


Il basso valore di Rds(on) riduce al minimo la perdita di energia durante il funzionamento, migliorando l'efficienza nelle applicazioni ad alta corrente.

Può essere utilizzato in ambienti ad alta temperatura?


Con un intervallo di temperatura operativa compreso tra -55°C e +175°C, è adatto a diverse applicazioni, compresi gli ambienti ad alta temperatura.

A quali considerazioni sull'installazione devo prestare attenzione?


Assicurare una corretta gestione termica secondo le specifiche per mantenere l'efficienza operativa e l'affidabilità durante le applicazioni più intense.

È compatibile con diversi modelli di alimentatori?


Sì, il MOSFET è versatile e può essere integrato in numerosi progetti di alimentazione, garantendo l'adattabilità a diversi progetti.

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