MOSFET Infineon, canale N 250 V, 20 mΩ Miglioramento, 64 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Codice RS:: 170-2295
Codice costruttore:: IPB64N25S320ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 250 V, 20 mΩ Miglioramento, 64 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

3201,00 €

(IVA esclusa)

3905,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

Spedizione a partire dal 08 gennaio 2027

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per bobina*
1000 +	3,201 €	3.201,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 170-2295
Codice costruttore:: IPB64N25S320ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	64A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	250V
	Serie	IPB64N25S3-20
	Tipo di package	TO-263
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	20mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	67nC
	Tensione diretta Vf	1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	300W
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	10mm
	Larghezza	10.25mm
	Altezza	4.4mm
	Standard automobilistico	AEC

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 64A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V
	Serie IPB64N25S3-20
	Tipo di package TO-263
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 20mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 67nC
	Tensione diretta Vf 1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 300W
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 10mm
	Larghezza 10.25mm
	Altezza 4.4mm
	Standard automobilistico AEC

MOSFET Infineon serie IPB64N25S3-20, tensione massima della sorgente di drenaggio di 250 V, corrente di drenaggio continua massima di 64 A - IPB64N25S320ATMA1

Questo MOSFET è un dispositivo a semiconduttore a canale N ad alta tensione progettato per ruoli di commutazione e conversione di potenza in sistemi elettronici impegnativi. Funziona in un ampio intervallo di temperatura ed è costruito per l'implementazione a montaggio superficiale in un contenitore TO-263, il che lo rende adatto per assemblaggi compatti in cui è richiesta una gestione robusta della potenza.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale di drenaggio di 250 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 64 A supporta carichi di corrente pesanti
• L'Rds(on) di 20 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La dissipazione di potenza 300 W consente un carico termico sostenuto
• La carica gate tipica di 67 nC garantisce un comportamento di commutazione prevedibile
• La tensione nominale di gate di 20 V mantiene i margini di azionamento gate sicuri

Applicazioni

• Ideale per i moduli di conversione di potenza per uso automobilistico
• Adatto per convertitori CC-CC ad alta corrente
• Utilizzato con gli stadi dell'inverter con azionamento a motore
• Può essere utilizzato per l'alimentazione di server e telecomunicazioni
• Adatto per l'elettronica industriale ad alta temperatura

Quale gamma termica può tollerare questo dispositivo in ambienti difficili?

Funziona su terminali ambientali da -55 °C a 175 °C, consentendo l'uso in applicazioni a temperature estreme e riducendo la necessità di un'ampia protezione termica.

In che modo il contenitore influisce sull'assemblaggio e sul raffreddamento del circuito stampato?

Il fattore di forma a montaggio superficiale TO-263 offre un'opzione di montaggio a basso profilo e presenta un ampio cuscinetto termico per il trasferimento del calore ai dissipatori o ai versamenti di rame sul circuito stampato.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per una commutazione affidabile?

La tensione nominale gate-source di 20 V imposta l'azionamento gate massimo consentito

i progettisti devono selezionare le tensioni di gate entro questo limite e tenere conto della carica di gate di 67 nC quando si dimensionano i driver.

In che modo il tipo di dispositivo influisce sulle scelte di topologia del circuito?

Essendo un MOSFET a canale N in modalità di potenziamento, richiede un azionamento gate positivo rispetto alla sorgente per la conduzione, il che lo rende adatto per la commutazione low-side e le disposizioni di rettifica sincrona.