MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 20 mΩ Miglioramento, 64 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

3644,00 €

(IVA esclusa)

4446,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 02 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1000 +3,644 €3.644,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
170-2295
Codice costruttore:
IPB64N25S320ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

64A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Tipo di package

TO-263

Serie

IPB64N25S3-20

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

67nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.4mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10mm

Larghezza

10.25 mm

Standard automobilistico

AEC

Infineon IPB64N25S3-20 è un MOSFET per uso automobilistico a canale N 250V. Il tipo di contenitore del dispositivo è la temperatura d'esercizio D2PAK 3pin e 175 °C.

Canale N - modalità potenziata

Qualifica AEC

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Link consigliati