MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 20 mΩ Miglioramento, 64 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

3108,00 €

(IVA esclusa)

3792,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 09 novembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1000 +3,108 €3.108,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
170-2295
Codice costruttore:
IPB64N25S320ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

64A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Tipo di package

TO-263

Serie

IPB64N25S3-20

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

67nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.4mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10mm

Larghezza

10.25mm

Standard automobilistico

AEC

Infineon IPB64N25S3-20 è un MOSFET per uso automobilistico a canale N 250V. Il tipo di contenitore del dispositivo è la temperatura d'esercizio D2PAK 3pin e 175 °C.

Canale N - modalità potenziata

Qualifica AEC

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.