MOSFET Infineon, canale N, 90 mΩ, 17 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 541-0755
Codice Distrelec:: 303-41-282
Codice costruttore:: IRF530NPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 90 mΩ, 17 A, TO-220AB, Su foro

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per Unità**

0,79 €

(IVA esclusa)

0,96 €

(IVA inclusa)

Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità
1 - 24	0,79 €
25 - 49	0,66 €
50 - 99	0,60 €
100 - 249	0,56 €
250 +	0,52 €

**prezzo indicativo

Alternativa

Prodotto al momento non disponibile. Ti suggeriamo la seguente alternativa.

MOSFET Fairchild Semiconductor, canale N, 110 mΩ, 14 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS: 671-5367

1pz in confezione da 5

1,048 €

(IVA esclusa)

1,279 €

(IVA inclusa)

Codice RS:: 541-0755
Codice Distrelec:: 303-41-282
Codice costruttore:: IRF530NPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 17 A, dissipazione di potenza massima di 70 W - IRF530NPBF

Questo MOSFET ad alta potenza è progettato per applicazioni di commutazione efficienti e offre prestazioni robuste in vari ambienti. La sua configurazione in modalità enhancement a canale N lo rende adatto a numerose applicazioni elettroniche ed elettriche in cui è fondamentale un'efficace gestione della corrente. Le specifiche chiave ne fanno un componente importante nei moderni sistemi di automazione e controllo.

Caratteristiche e vantaggi

• La bassa resistenza di accensione di 90mΩ aumenta l'efficienza
• Gestione della corrente di drenaggio massima di 17A
• Temperatura di funzionamento da -55°C a +175°C
• La velocità di commutazione riduce le perdite di energia
• Il design robusto migliora l'affidabilità sotto carico
• Il versatile pacchetto TO-220AB semplifica l'integrazione

Applicazioni

• Gestione dell'alimentazione nell'automazione industriale
• Integrazione nei circuiti di controllo dei motori
• Utilizzo nei sistemi di alimentazione per la regolazione della tensione
• Applicazione in convertitori e inverter ad alta efficienza
• Adatto all'elettronica di consumo che richiede un supporto di carico dinamico

Esiste una tensione specifica del gate necessaria per un funzionamento ottimale?

Il dispositivo funziona efficacemente con un intervallo di tensione gate-source compreso tra -20V e +20V, garantendo una funzionalità di commutazione affidabile.

Qual è la capacità massima di corrente di drenaggio a impulsi di questo dispositivo?

La corrente di drenaggio pulsata massima è stimata a 60A, consentendo di affrontare condizioni transitorie senza compromettere l'integrità del dispositivo.

In che modo i valori di resistenza termica influiscono sulle prestazioni?

Con una resistenza termica tra giunzione e involucro di 2,15°C/W, un'efficace dissipazione del calore è fondamentale per mantenere le prestazioni durante il funzionamento ad alto carico.

Quali considerazioni devo fare per saldare questo componente?

La temperatura di saldatura consigliata è di 300°C per una durata di 10 secondi. È importante attenersi a questa linea guida per evitare danni.

Posso utilizzarlo in applicazioni con alimentazione fluttuante?

Sì, il dispositivo è progettato per gestire condizioni dinamiche, rendendolo adatto a varie applicazioni con carichi e fonti di alimentazione variabili.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	17 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	90 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	70 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	37 nC a 10 V
Larghezza	4.69mm
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.54mm
Numero di elementi per chip	1
Altezza	8.77mm
Minima temperatura operativa	-55 °C