MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 90 mΩ Miglioramento, 17 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF530NPBF

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Codice RS:
541-0755
Codice Distrelec:
303-41-282
Codice costruttore:
IRF530NPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

17A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

90mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

70W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.54mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

8.77mm

Larghezza

4.69 mm

Distrelec Product Id

30341282

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 17 A, dissipazione di potenza massima di 70 W - IRF530NPBF


Questo MOSFET ad alta potenza è progettato per applicazioni di commutazione efficienti e offre prestazioni robuste in vari ambienti. La sua configurazione in modalità enhancement a canale N lo rende adatto a numerose applicazioni elettroniche ed elettriche in cui è fondamentale un'efficace gestione della corrente. Le specifiche chiave ne fanno un componente importante nei moderni sistemi di automazione e controllo.

Caratteristiche e vantaggi


• La bassa resistenza di accensione di 90mΩ aumenta l'efficienza

• Gestione della corrente di drenaggio massima di 17A

• Temperatura di funzionamento da -55°C a +175°C

• La velocità di commutazione riduce le perdite di energia

• Il design robusto migliora l'affidabilità sotto carico

• Il versatile pacchetto TO-220AB semplifica l'integrazione

Applicazioni


• Gestione dell'alimentazione nell'automazione industriale

• Integrazione nei circuiti di controllo dei motori

• Utilizzo nei sistemi di alimentazione per la regolazione della tensione

• Applicazione in convertitori e inverter ad alta efficienza

• Adatto all'elettronica di consumo che richiede un supporto di carico dinamico

Esiste una tensione specifica del gate necessaria per un funzionamento ottimale?


Il dispositivo funziona efficacemente con un intervallo di tensione gate-source compreso tra -20V e +20V, garantendo una funzionalità di commutazione affidabile.

Qual è la capacità massima di corrente di drenaggio a impulsi di questo dispositivo?


La corrente di drenaggio pulsata massima è stimata a 60A, consentendo di affrontare condizioni transitorie senza compromettere l'integrità del dispositivo.

In che modo i valori di resistenza termica influiscono sulle prestazioni?


Con una resistenza termica tra giunzione e involucro di 2,15°C/W, un'efficace dissipazione del calore è fondamentale per mantenere le prestazioni durante il funzionamento ad alto carico.

Quali considerazioni devo fare per saldare questo componente?


La temperatura di saldatura consigliata è di 300°C per una durata di 10 secondi. È importante attenersi a questa linea guida per evitare danni.

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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