MOSFET Infineon, canale N 55 V, 22 mΩ Miglioramento, 47 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 919-4814
- Codice costruttore:
- IRLZ44NPBF
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 919-4814
- Codice costruttore:
- IRLZ44NPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 47A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 22mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -16V, +16V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 48nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 110W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 8.77mm | |
| Lunghezza | 10.54mm | |
| Larghezza | 4.69mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 47A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 22mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -16V, +16V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 48nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 110W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 8.77mm | ||
Lunghezza 10.54mm | ||
Larghezza 4.69mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 47 A, dissipazione di potenza massima di 110 W - IRLZ44NPBF
Questo MOSFET a canale N ad alte prestazioni di Infineon è progettato per garantire una commutazione efficiente e una notevole gestione della potenza nei sistemi elettronici. Utilizzando l'avanzata tecnologia HEXFET, si rivolge a varie applicazioni di semiconduttori, rendendolo adatto ai professionisti dell'automazione, dell'elettronica e dell'elettrotecnica che cercano prestazioni robuste nella gestione dell'alimentazione.
Caratteristiche e vantaggi
• Supporta una corrente di drenaggio continua fino a 47A per un'efficace erogazione di potenza
• Funziona con una tensione drain-source di 55 V, migliorando la versatilità delle applicazioni
• La dissipazione di potenza massima di 110 W ottimizza la gestione termica
• Il design della modalità di potenziamento garantisce una commutazione e un controllo efficaci
• La bassa tensione di soglia del gate, compresa tra 1V e 2V, facilita il controllo con una tensione di pilotaggio minima
• L'elevata gestione della corrente con una bassa resistenza di accensione di 22mΩ migliora l'efficienza
Applicazioni
• Circuiti di alimentazione che richiedono una commutazione efficiente del carico
• Convertitori DC-DC nei sistemi di energia rinnovabile
• Settore automobilistico prestazioni elevate ed esigenti
• Sistemi di controllo del motore per una maggiore efficienza operativa
• Sistemi di illuminazione che richiedono una precisa regolazione della potenza
Qual è l'intervallo di temperatura di funzionamento del dispositivo?
Il dispositivo funziona efficacemente in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +175°C, garantendo l'affidabilità in diverse condizioni ambientali.
Come deve essere montato per ottenere prestazioni ottimali?
È progettato per il montaggio a foro passante in un contenitore TO-220AB, che consente un'efficace dissipazione del calore durante il funzionamento.
Può essere utilizzato con altri componenti di gestione dell'alimentazione?
Sì, è compatibile con una serie di componenti di gestione dell'alimentazione e di commutazione, adattandosi perfettamente a vari progetti di circuiti.
Quali sono le implicazioni dell'intervallo di tensione di soglia del gate?
La tensione di soglia del gate, compresa tra 1 e 2 V, consente di pilotare facilmente il dispositivo con livelli di segnale standard, semplificando la progettazione dei circuiti e migliorando la compatibilità.
È adatto per applicazioni ad alta frequenza?
Con una bassa carica di gate di 48nC a 5 V, supporta applicazioni di commutazione ad alta frequenza, contribuendo all'efficienza complessiva dei sistemi di alimentazione.
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