MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 5 mΩ Miglioramento, 169 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF1405PBF
- Codice RS:
- 543-1099
- Codice costruttore:
- IRF1405PBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 543-1099
- Codice costruttore:
- IRF1405PBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 169A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 330W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 170nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 8.77mm | |
| Larghezza | 4.83 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 169A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 330W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 170nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 8.77mm | ||
Larghezza 4.83 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, 169A di corrente di scarico continua massima, 330W di dissipazione di potenza massima - IRF1405PBF
Questo MOSFET è destinato a varie applicazioni e offre prestazioni elevate nelle soluzioni di gestione dell'alimentazione. Grazie alle sue specifiche robuste e alle tecniche di lavorazione avanzate, è un componente chiave nei settori dell'automazione e dell'elettronica. La capacità di gestire correnti e tensioni elevate lo rende indispensabile per numerosi processi industriali.
Caratteristiche e vantaggi
• La corrente di drenaggio continua massima di 169A migliora la durata
• Valutato per 55 V, garantisce il funzionamento in condizioni di alta tensione
• La bassa resistenza di accensione, pari a 5mΩ, riduce al minimo la perdita di potenza durante il funzionamento
• La capacità di commutazione rapida aumenta l'efficienza del sistema
• Modalità di potenziamento per un funzionamento ottimale
Applicazioni
• Utilizzato negli azionamenti dei motori industriali per un controllo efficiente
• Adatto per correnti elevate negli alimentatori
• Ideale per l'azionamento dei motori delle apparecchiature di automazione
• Efficace nei convertitori e negli inverter per i sistemi di energia rinnovabile
Qual è il limite massimo di tensione gate-source?
La tensione massima gate-to-source è di ±20V, per garantire un funzionamento sicuro.
Come gestisce questo dispositivo la gestione termica?
Funziona efficacemente fino a 175°C, garantendo affidabilità in condizioni di alta temperatura.
Quali sono i fattori da considerare durante l'installazione?
Assicurare una coppia di montaggio adeguata e tenere conto della resistenza termica del dissipatore per mantenere prestazioni efficienti.
Può essere utilizzato in applicazioni di commutazione?
Sì, è dotato di funzionalità di commutazione rapida adatte alle applicazioni ad alta velocità, riducendo il tempo di risposta.
Quali valori di carica del gate si possono prevedere durante il funzionamento?
La carica tipica del gate è di 170nC a 10V, il che facilita tempi rapidi di accensione e spegnimento.
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