MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 14 mΩ Miglioramento, 64 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
919-4797
Codice costruttore:
IRFZ48NPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

64A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

14mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

81nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

130W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

8.77mm

Larghezza

4.69 mm

Lunghezza

10.54mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 64 A, dissipazione di potenza massima di 130 W - IRFZ48NPBF


Questo MOSFET di potenza è adatto ad applicazioni ad alta efficienza, con prestazioni robuste e metodi di lavorazione avanzati. Rappresenta un'opzione affidabile per una varietà di progetti elettronici, soprattutto in scenari in cui l'efficienza energetica è essenziale.

Caratteristiche e vantaggi


• Supporta correnti di scarico continue fino a 64A

• Utilizza la modalità di potenziamento per migliorare le caratteristiche di commutazione

• Il basso RDS(on) di 14mΩ aumenta l'efficienza

• Funziona in modo affidabile in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +175°C

• In grado di gestire tensioni gate-source fino a ±20V

• Completamente classificato come valanga per la sicurezza in condizioni transitorie

Applicazioni


• Azionamento di carichi induttivi nei sistemi di automazione

• Circuiti di gestione dell'alimentazione nelle apparecchiature industriali

• Sistemi elettrici e convertitori di potenza per autoveicoli

• Convertitori DC-DC e alimentatori

• Controllo dei motori che richiedono un'elevata efficienza

Qual è la capacità massima di dissipazione di potenza?


Il dispositivo è in grado di gestire una dissipazione di potenza massima di 130 W quando è adeguatamente raffreddato, garantendo una gestione termica efficace in scenari di carico elevato.

In che modo l'intervallo di temperatura operativa influisce sulle prestazioni?


L'ampio intervallo di temperature operative, da -55°C a +175°C, consente al dispositivo di funzionare in modo affidabile in diverse condizioni ambientali.

Questo dispositivo è compatibile con i layout dei PCB standard?


Sì, è disponibile in un contenitore TO-220AB, comunemente utilizzato nell'industria per il semplice montaggio su PCB e l'efficiente dissipazione del calore.

Quali applicazioni beneficiano maggiormente della velocità di commutazione di questo componente?


I MOSFET di potenza con capacità di commutazione rapida sono ideali per applicazioni come gli alimentatori a commutazione e i convertitori ad alta frequenza, dove le basse perdite di commutazione sono fondamentali.

Come deve essere trattato il dispositivo durante l'installazione?


Durante l'installazione, assicurarsi che la coppia di montaggio sia adeguata ed evitare temperature di saldatura eccessive. Si raccomanda di attenersi alle linee guida di sicurezza standard per evitare danni.

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