MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 4.7 mΩ Miglioramento, 75 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

65,00 €

(IVA esclusa)

79,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 700 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
50 - 501,30 €65,00 €
100 - 2001,235 €61,75 €
250 - 4501,183 €59,15 €
500 - 9501,105 €55,25 €
1000 +1,04 €52,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
912-8687
Codice costruttore:
IRF2805PBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

75A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

150nC

Dissipazione di potenza massima Pd

330W

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.83 mm

Altezza

16.51mm

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 75 A, dissipazione di potenza massima di 330 W - IRF2805PBF


Questo MOSFET di potenza offre prestazioni eccellenti per varie applicazioni elettroniche. Le sue robuste specifiche sono progettate per gli ambienti industriali, garantendo affidabilità ed efficienza. Con una bassa resistenza di accensione, questo componente supporta un'elevata capacità di corrente, rendendolo adatto a circuiti avanzati.

Caratteristiche e vantaggi


• Supporta una corrente di drenaggio continua massima di 75A

• Migliora l'efficienza con un basso RDS(on) di 4,7mΩ

• Compatibile con tensioni gate-source di +20 V/-20 V per una maggiore flessibilità

• In grado di raggiungere velocità di commutazione elevate per soddisfare le esigenze di prestazioni dinamiche

• Supporta la gestione ripetitiva delle valanghe per la resilienza operativa

Applicazioni


• Utilizzato negli azionamenti dei motori industriali per un efficace controllo della potenza

• Adatto alla gestione dell'energia nei sistemi di automazione

• Impiegato nei sistemi di energia rinnovabile per una commutazione efficiente

• Utilizzato in elettroutensili ad alte prestazioni e di lunga durata

• Applicabile nei sistemi di gestione delle batterie dei veicoli elettrici

Qual è la temperatura massima che questo componente può sopportare?


Può funzionare in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +175°C per garantire prestazioni in condizioni estreme.

Come gestisce questo MOSFET le applicazioni ad alta corrente?


È progettato per gestire una corrente di drenaggio continua di 75A, che lo rende adatto a richieste di corrente elevate.

Può essere utilizzato in applicazioni con requisiti di commutazione rapida?


Sì, questo MOSFET supporta velocità di commutazione elevate, ideali per le applicazioni che richiedono prestazioni dinamiche.

Questo dispositivo è adatto all'uso in inverter di potenza?


Sì, la sua stabilità termica e la capacità di gestire correnti elevate lo rendono adatto alle applicazioni degli inverter di potenza nei sistemi di energia rinnovabile.

Quali sono le implicazioni della sua bassa resistenza all'accensione?


La bassa RDS(on) riduce le perdite di potenza durante il funzionamento, contribuendo a migliorare l'efficienza e le prestazioni termiche.

Link consigliati