MOSFET Infineon, canale N, 4,7 mΩ, 75 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 912-8687
Codice costruttore:: IRF2805PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 4,7 mΩ, 75 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:: 912-8687
Codice costruttore:: IRF2805PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 75 A, dissipazione di potenza massima di 330 W - IRF2805PBF

Questo MOSFET di potenza offre prestazioni eccellenti per varie applicazioni elettroniche. Le sue robuste specifiche sono progettate per gli ambienti industriali, garantendo affidabilità ed efficienza. Con una bassa resistenza di accensione, questo componente supporta un'elevata capacità di corrente, rendendolo adatto a circuiti avanzati.

Caratteristiche e vantaggi

• Supporta una corrente di drenaggio continua massima di 75A
• Migliora l'efficienza con un basso RDS(on) di 4,7mΩ
• Compatibile con tensioni gate-source di +20 V/-20 V per una maggiore flessibilità
• In grado di raggiungere velocità di commutazione elevate per soddisfare le esigenze di prestazioni dinamiche
• Supporta la gestione ripetitiva delle valanghe per la resilienza operativa

Applicazioni

• Utilizzato negli azionamenti dei motori industriali per un efficace controllo della potenza
• Adatto alla gestione dell'energia nei sistemi di automazione
• Impiegato nei sistemi di energia rinnovabile per una commutazione efficiente
• Utilizzato in elettroutensili ad alte prestazioni e di lunga durata
• Applicabile nei sistemi di gestione delle batterie dei veicoli elettrici

Qual è la temperatura massima che questo componente può sopportare?

Può funzionare in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +175°C per garantire prestazioni in condizioni estreme.

Come gestisce questo MOSFET le applicazioni ad alta corrente?

È progettato per gestire una corrente di drenaggio continua di 75A, che lo rende adatto a richieste di corrente elevate.

Può essere utilizzato in applicazioni con requisiti di commutazione rapida?

Sì, questo MOSFET supporta velocità di commutazione elevate, ideali per le applicazioni che richiedono prestazioni dinamiche.

Questo dispositivo è adatto all'uso in inverter di potenza?

Sì, la sua stabilità termica e la capacità di gestire correnti elevate lo rendono adatto alle applicazioni degli inverter di potenza nei sistemi di energia rinnovabile.

Quali sono le implicazioni della sua bassa resistenza all'accensione?

La bassa RDS(on) riduce le perdite di potenza durante il funzionamento, contribuendo a migliorare l'efficienza e le prestazioni termiche.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	75 A
Tensione massima drain source	55 V
Tipo di package	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4,7 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	330 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	4.83mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	150 nC @ 10 V
Lunghezza	10.67mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Altezza	16.51mm
Minima temperatura operativa	-55 °C