MOSFET Infineon, canale Tipo P 75 V, 3 mΩ Miglioramento, 230 A, 3 Pin, TO-220, Superficie
- Codice RS:
- 249-6869
- Codice costruttore:
- AUIRF6215
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 tubo da 50 unità*
128,80 €
(IVA esclusa)
157,15 €
(IVA inclusa)
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,576 € | 128,80 € |
| 100 - 200 | 2,318 € | 115,90 € |
| 250 + | 2,189 € | 109,45 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 249-6869
- Codice costruttore:
- AUIRF6215
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 230A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 75V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 230A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 75V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
I MOSFET di potenza HEXFET di Infineon utilizzano le più recenti tecniche di lavorazione per ottenere una bassa resistenza di accensione per area di silicio. Questo vantaggio, unito alla rapida velocità di commutazione e alla struttura robusta per cui i MOSFET di potenza HEXFET sono ben noti, offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile da utilizzare nel settore automobilistico e in un'ampia gamma di altre applicazioni.
Tecnologia planare avanzata
Bassa resistenza all'accensione
Valore nominale dinamico dv/dt
Temperatura d'esercizio 175 °C
Commutazione rapida