MOSFET Infineon, canale P, 13 A, TO-220, Su foro

I MOSFET di potenza HEXFET di Infineon utilizzano le più recenti tecniche di lavorazione per ottenere una bassa resistenza di accensione per area di silicio. Questo vantaggio, unito alla rapida velocità di commutazione e alla struttura robusta per cui i MOSFET di potenza HEXFET sono ben noti, offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile da utilizzare nel settore automobilistico e in un'ampia gamma di altre applicazioni.

Tecnologia planare avanzata
Bassa resistenza all'accensione
Valore nominale dinamico dv/dt
Temperatura d'esercizio 175 °C
Commutazione rapida