MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 3 mΩ, 230 A, 3 Pin, TO-220, Superficie
- Codice RS:
- 249-6865
- Codice costruttore:
- AUIRF1404Z
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 4,57 € | 228,50 € |
| 100 - 200 | 4,341 € | 217,05 € |
| 250 + | 4,067 € | 203,35 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 249-6865
- Codice costruttore:
- AUIRF1404Z
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 230A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 75V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | AUIRFS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 16.51mm | |
| Larghezza | 10.67 mm | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 230A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 75V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie AUIRFS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 16.51mm | ||
Larghezza 10.67 mm | ||
Altezza 4.83mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza HEXFET Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza in stato attivo estremamente bassa per area di silicio. Altre caratteristiche di questo design sono la temperatura di funzionamento della giunzione di 175°C, la velocità di commutazione e il miglioramento della valutazione delle valanghe ripetitive.
Tecnologia di processo avanzata
Resistenza di accensione estremamente bassa
Temperatura di funzionamento 175°C
Commutazione rapida
Valanga ripetitiva consentita fino a Tjmax
Senza piombo, conforme a RoHS
Compatibilità con il settore automobilistico