MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 3 mΩ, 230 A, 3 Pin, TO-220, Superficie
- Codice RS:
- 249-6865
- Codice costruttore:
- AUIRF1404Z
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 4,57 € | 228,50 € |
| 100 - 200 | 4,341 € | 217,05 € |
| 250 + | 4,067 € | 203,35 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 249-6865
- Codice costruttore:
- AUIRF1404Z
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 230A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 75V | |
| Serie | AUIRFS | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3mΩ | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 16.51mm | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 10.67 mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 230A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 75V | ||
Serie AUIRFS | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 16.51mm | ||
Altezza 4.83mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 10.67 mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza HEXFET Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza in stato attivo estremamente bassa per area di silicio. Altre caratteristiche di questo design sono la temperatura di funzionamento della giunzione di 175°C, la velocità di commutazione e il miglioramento della valutazione delle valanghe ripetitive.
Tecnologia di processo avanzata
Resistenza di accensione estremamente bassa
Temperatura di funzionamento 175°C
Commutazione rapida
Valanga ripetitiva consentita fino a Tjmax
Senza piombo, conforme a RoHS
Compatibilità con il settore automobilistico
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