MOSFET Infineon, canale Tipo P 75 V, 3 mΩ, 230 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 244-0890
- Codice costruttore:
- AUIRFR5305TR
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*
1896,00 €
(IVA esclusa)
2314,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,948 € | 1.896,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 244-0890
- Codice costruttore:
- AUIRFR5305TR
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 230A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 75V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | AUIRFS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3mΩ | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 230A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 75V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie AUIRFS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET Infineon è stato progettato specificatamente per le applicazioni automobilistiche. Questo design planare cellulare dei MOSFET di potenza HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza in stato attivo per area di silicio.
Tecnologia planare avanzata
Bassa resistenza all'accensione
Valore nominale dinamico dv/dt
temperatura d'esercizio 175 °C
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