MOSFET Infineon, canale Tipo P 75 V, 3 mΩ, 230 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

1896,00 €

(IVA esclusa)

2314,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 12 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2000 +0,948 €1.896,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
244-0890
Codice costruttore:
AUIRFR5305TR
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

230A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Tipo di package

TO-252

Serie

AUIRFS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET Infineon è stato progettato specificatamente per le applicazioni automobilistiche. Questo design planare cellulare dei MOSFET di potenza HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza in stato attivo per area di silicio.

Tecnologia planare avanzata

Bassa resistenza all'accensione

Valore nominale dinamico dv/dt

temperatura d'esercizio 175 °C

Link consigliati