MOSFET Infineon, canale Tipo P 75 V, 3 mΩ P, 180 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD380P06NMATMA1
- Codice RS:
- 244-8546
- Codice Distrelec:
- 304-40-507
- Codice costruttore:
- IPD380P06NMATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 244-8546
- Codice Distrelec:
- 304-40-507
- Codice costruttore:
- IPD380P06NMATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 180A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 75V | |
| Serie | IPD | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3mΩ | |
| Modalità canale | P | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 180A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 75V | ||
Serie IPD | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ | ||
Modalità canale P | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon serie IPD, tensione massima della sorgente di drenaggio di 75 V, corrente di drenaggio continua massima di 180 A - IPD380P06NMATMA1
Questo MOSFET è un transistor di potenza a canale P progettato per la commutazione ad alta corrente in applicazioni a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è adatto per contesti automobilistici e industriali in cui sono richieste prestazioni termiche ed elettriche elevate.
Caratteristiche e vantaggi:
• La tensione massima drain-source di 75 V consente la commutazione a tensione più elevata
• La bassa Rds(on) di 3 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il flusso di corrente pesante
• La corrente di drenaggio continua di 180 A supporta carichi ad alta corrente sostenuti
• La dissipazione di potenza di 81 W gestisce notevoli sollecitazioni termiche
• La carica gate tipica di 80 nC consente una gestione controllata dell'energia di commutazione
• Il valore nominale massimo gate-source di 20 V consente di gestire livelli di azionamento gate robusti
• La bassa Rds(on) di 3 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il flusso di corrente pesante
• La corrente di drenaggio continua di 180 A supporta carichi ad alta corrente sostenuti
• La dissipazione di potenza di 81 W gestisce notevoli sollecitazioni termiche
• La carica gate tipica di 80 nC consente una gestione controllata dell'energia di commutazione
• Il valore nominale massimo gate-source di 20 V consente di gestire livelli di azionamento gate robusti
Applicazioni
• Adatto per fasi di distribuzione dell'alimentazione CC ad alta corrente
• Ideale per i moduli di alimentazione automobilistici che soddisfano i requisiti dei veicoli
• Utilizzato per la commutazione low-side o high-side dell'azionamento del motore
• Può essere utilizzato per la gestione dell'alimentazione a livello di scheda in ambienti difficili
• Utilizzato con sistemi di gestione termica in gruppi di alimentazione
• Ideale per i moduli di alimentazione automobilistici che soddisfano i requisiti dei veicoli
• Utilizzato per la commutazione low-side o high-side dell'azionamento del motore
• Può essere utilizzato per la gestione dell'alimentazione a livello di scheda in ambienti difficili
• Utilizzato con sistemi di gestione termica in gruppi di alimentazione
Quale gamma termica può resistere in ambienti difficili?
È classificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C per coprire condizioni di temperatura estreme.
In che modo il contenitore influisce sul montaggio e sull'assemblaggio?
Il contenitore a montaggio superficiale TO-252 consente la saldatura automatizzata e il posizionamento compatto della scheda per progetti di potenza.
Quali considerazioni sulle porte sono necessarie per le prestazioni di commutazione?
La carica gate tipica è di 80 nC, pertanto i driver gate devono fornire una carica sufficiente per la velocità di commutazione prevista.
Quali sono le qualifiche del settore a supporto del suo utilizzo nei sistemi dei veicoli?
È conforme allo standard automobilistico AEC-Q101 per i componenti utilizzati nelle applicazioni dei veicoli.
Esistono restrizioni ambientali per il suo utilizzo in relazione alle sostanze pericolose?
È conforme ai requisiti RoHS che limitano i materiali pericolosi specificati.
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