MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 3 mΩ N, 180 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD65R660CFDAATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-8548
Codice costruttore:
IPD65R660CFDAATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET Infineon CoolMOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della supergiunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. La serie CoolMOS CFDA 650V combina l'esperienza del fornitore leader di MOSFET SJ con un'innovazione di alta classe. I dispositivi risultanti offrono tutti i vantaggi di un MOSFET SJ a commutazione rapida offrendo al contempo un diodo corpo estremamente rapido e robusto. Questa combinazione di perdite di conduzione, commutazione e commutazione estremamente basse insieme alla massima robustezza rendono particolarmente le applicazioni di commutazione risonanti più affidabili, più efficienti, più leggere e più fredde.

Diodo corpo ultra-rapido

Robustezza di commutazione molto elevata

Perdite estremamente basse a causa del valore molto basso

Facile da usare/guidare

Qualificati in conformità ad AEC Q101

Contenitore verde (conforme a RoHS)

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