MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 3 mΩ N, 180 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD60R145CFD7ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-9740
Codice costruttore:
IPD60R145CFD7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

N

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon IPD60R145CFD7ATMA1 600 V CoolMOS CFD7 è la più recente tecnologia MOSFET a supergiunzione ad alta tensione di Infineon con diodo corpo rapido integrato, che completa la serie CoolMOS 7. CoolMOS CFD7 viene fornito con una carica gate (Qg) ridotta, un comportamento di spegnimento migliorato e una carica di recupero inverso (Qrr) fino al 69% inferiore rispetto alla concorrenza, nonché il più basso tempo di recupero inverso (trr) sul mercato.

Diodo corpo ultrarapido

Carico di recupero inverso di prima classe (Qrr)

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