MOSFET Infineon, canale N 75 V, 3 mΩ N, 180 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD80R450P7ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-8551
Codice costruttore:
IPD80R450P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

N

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie IPD, tensione di sorgente di drenaggio 75 V, corrente di drenaggio continua 180 A - IPD80R450P7ATMA1


Questo MOSFET è un transistor di potenza a tre conduttori a canale N progettato per la commutazione ad alta corrente in applicazioni a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature per condizioni difficili ed è adatto nei casi in cui sono richieste basse perdite di conduzione e una robusta protezione del gate.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di scarico di 75 V consente l'uso in progetti a media tensione
• La corrente continua di 180 A supporta la commutazione per carichi pesanti
• Il basso valore di Rds(on) di 3 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza di 81 W consente un funzionamento ad alta potenza
• La carica gate tipica di 80 nC supporta un controllo rapido della commutazione
• La tolleranza del gate di 20 V fornisce protezione da sovratensione del gate

Applicazioni


• Adatto per moduli di gestione dell'alimentazione automobilistica
• Ideale per progetti di convertitori buck sincroni
• Utilizzato per le fasi di azionamento del motore ad alta corrente
• Può essere utilizzato per le unità di distribuzione dell'alimentazione delle telecomunicazioni
• Utilizzato con sistemi di gestione delle batterie e accumulo di energia

Quali estremi termici può sopportare?


È progettato per funzionare da -55 °C fino a +150 °C in condizioni specifiche.

Come è confezionato per l'assemblaggio su circuito stampato?


Viene fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO‐252 per il montaggio a saldare.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate si applicano?


Il gate può tollerare fino a 20 V e presenta una carica di gate totale tipica di 80 nC per le dimensioni dell'azionamento.

È conforme alle norme di affidabilità del settore automobilistico?


Soddisfa i requisiti AEC‐Q101 per la qualifica dei componenti automobilistici.

Esistono dettagli sulla conformità ambientale?


Il dispositivo è conforme alla direttiva RoHS, che limita l'uso di sostanze pericolose.

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