MOSFET Infineon, canale N 75 V, 3 mΩ N, 180 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD050N10N5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-8544
Codice costruttore:
IPD050N10N5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

N

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie IPD, tensione massima della sorgente di drenaggio di 75 V, corrente di drenaggio continua massima di 180 A - IPD050N10N5ATMA1


Questo MOSFET è un transistor di potenza a canale N a montaggio superficiale progettato per la commutazione ad alta corrente in ambienti difficili, offrendo un'ampia tolleranza alla temperatura d'esercizio e il rispetto degli standard ambientali industriali.

Caratteristiche e vantaggi:


• La tensione massima drain-source di 75 V consente la commutazione a tensione moderata
• La corrente di drenaggio continua di 180 A supporta applicazioni ad alta corrente
• La bassa resistenza di accensione di 3 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza di 81 W consente una gestione prolungata del carico termico
• La carica gate tipica di 80 nC consente requisiti di gate drive prevedibili
• Il valore nominale massimo gate-source di 20 V consente un azionamento gate robusto

Applicazioni


• Adatto per unità di distribuzione dell'alimentazione automobilistica
• Ideale per i convertitori CC-CC nelle apparecchiature industriali
• Utilizzato per le fasi di azionamento del motore che richiedono corrente elevata
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria e la protezione
• Utilizzato con array di commutazione di potenza su gruppi a montaggio superficiale

Entro quale intervallo di temperatura può operare?


Funziona in un intervallo esteso da -55 °C a 175 °C, supportando condizioni termiche difficili.

In che modo il contenitore influisce sul montaggio e sulle prestazioni termiche?


Il contenitore a montaggio superficiale TO-252 fornisce un ingombro compatto della scheda e facilita il trasferimento del calore al circuito stampato per la gestione termica.

Quale caratteristica del diodo è rilevante per la conduzione in avanti?


Il diodo intrinseco presenta una tensione diretta di circa 1,3 V durante gli eventi di conduzione.

È adatto per applicazioni con restrizioni ambientali sui materiali?


È conforme ai requisiti RoHS, soddisfacendo le restrizioni su alcune sostanze pericolose.

Quale orientamento e modalità del canale utilizza?


Utilizza un canale di tipo N che funziona in modalità di potenziamento per un comportamento di commutazione di potenza standard.

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