MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 3 mΩ N, 180 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD050N10N5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-8544
Codice costruttore:
IPD050N10N5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

N

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza Infineon MOSFET OptiMOSTM5 è dotato di placcatura senza piombo, conformità RoHS e senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21....... Infineon, il transistor di potenza a bassa tensione, non contiene piombo, ma è conforme a RoHS e non contiene alogeni

Canale N, livello normale

Prodotto con un'eccellente carica di gate RDS(on) (FOM)

RDS(ON) resistenza molto bassa in stato attivo

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Ideale per la commutazione ad alta frequenza

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