MOSFET Infineon, canale Tipo P 75 V, 3 mΩ P, 180 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1755,00 €

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Codice RS:
244-8545
Codice costruttore:
IPD380P06NMATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

P

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza Infineon MOSFET OptiMOSTM è dotato di placcatura senza piombo, conformità RoHS e senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21. Infineon

Canale P.

RDS(ON) resistenza molto bassa in stato attivo

Testato con effetto valanga al 100%

Livello normale

Modalità potenziata

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