MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 0.7 mΩ N, 180 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
244-0877
Codice costruttore:
IPD50N10S3L16ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.7mΩ

Modalità canale

N

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza MOSFET OptiMOSTM Infineon è un prodotto verde conforme a RoHS ed è certificato Automotive AEC Q101.

Canale N - Modalità di potenziamento

MSL1 fino a 260 °C di riflusso di

picco175 °C di temperatura d'

esercizio100% testato a valanga

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