MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 0.7 mΩ N, 180 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD650P06NMATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-0880
Codice costruttore:
IPD650P06NMATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.7mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza MOSFET Infineon OptiMOSTM è placcato senza piombo, conforme a RoHS e senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21.

Canale P

Resistenza molto bassa in stato attivo RDS(on)

100% prova a valanga

Livello normale

Modalità di potenziamento

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