MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 0.7 mΩ N, 180 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD95R750P7ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-0883
Codice costruttore:
IPD95R750P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.7mΩ

Modalità canale

N

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET 950 V CoolMOS serie P7 Infineon stabilisce un nuovo punto di riferimento nelle tecnologie di supergiunzione da 950 V e combina le migliori prestazioni della categoria con una facilità d'uso all'avanguardia, frutto dell'innovazione della tecnologia di supergiunzione Infineon pionieristica da oltre 18 anni.

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