MOSFET Infineon, canale N 100 V, 0.7 mΩ N, 180 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD50N10S3L16ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-0878
Codice costruttore:
IPD50N10S3L16ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.7mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza MOSFET OptiMOSTM Infineon è un prodotto verde conforme a RoHS ed è certificato Automotive AEC Q101.

Canale N - Modalità di potenziamento

MSL1 fino a 260 °C di riflusso di

picco175 °C di temperatura d'

esercizio100% testato a valanga

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