MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.4 mΩ P, 180 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

792,50 €

(IVA esclusa)

967,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 07 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,317 €792,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
244-1595
Codice costruttore:
IPD80R1K2P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

P

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET da 800 V CoolMOSTM serie P7 di Infineon stabilisce un nuovo punto di riferimento nelle tecnologie di supergiunzione da 800 V e combina le migliori prestazioni della categoria con una facilità d'uso all'avanguardia, frutto dell'innovazione pionieristica della tecnologia di supergiunzione Infineon da oltre 18 anni.

FOM RDS(on) * Eoss di prima classe

DPAK RDS(on) di prima classe

V(GS)th di 3V di prima classe

Portafoglio completamente ottimizzato

Protezione ESD con diodo Zener integrato

Link consigliati