MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.4 mΩ P, 180 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

792,50 €

(IVA esclusa)

967,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 05 novembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,317 €792,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
244-1595
Codice costruttore:
IPD80R1K2P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

P

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET da 800 V CoolMOSTM serie P7 di Infineon stabilisce un nuovo punto di riferimento nelle tecnologie di supergiunzione da 800 V e combina le migliori prestazioni della categoria con una facilità d'uso all'avanguardia, frutto dell'innovazione pionieristica della tecnologia di supergiunzione Infineon da oltre 18 anni.

FOM RDS(on) * Eoss di prima classe

DPAK RDS(on) di prima classe

V(GS)th di 3V di prima classe

Portafoglio completamente ottimizzato

Protezione ESD con diodo Zener integrato

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.