MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 1.4 mΩ N, 180 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD25DP06LMATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

6,78 €

(IVA esclusa)

8,27 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 1120 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 451,356 €6,78 €
50 - 1201,166 €5,83 €
125 - 2451,096 €5,48 €
250 - 4951,018 €5,09 €
500 +0,936 €4,68 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-1590
Codice costruttore:
IPD25DP06LMATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza MOSFET Infineon OptiMOSTM è placcato senza piombo, conforme a RoHS e senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21.

Canale P

Resistenza molto bassa in stato attivo RDS(on)

100% prova a valanga

Livello normale

Modalità di potenziamento

Link consigliati