MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.4 mΩ P, 180 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD80R1K2P7ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-1596
Codice costruttore:
IPD80R1K2P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

P

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET da 800 V CoolMOSTM serie P7 di Infineon stabilisce un nuovo punto di riferimento nelle tecnologie di supergiunzione da 800 V e combina le migliori prestazioni della categoria con una facilità d'uso all'avanguardia, frutto dell'innovazione pionieristica della tecnologia di supergiunzione Infineon da oltre 18 anni.

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