MOSFET Infineon, canale N 40 V, 1.4 mΩ P, 180 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD5N25S3430ATMA1
- Codice RS:
- 244-1594
- Codice costruttore:
- IPD5N25S3430ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 5 unità*
5,30 €
(IVA esclusa)
6,45 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 2335 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 1,06 € | 5,30 € |
| 25 - 45 | 1,01 € | 5,05 € |
| 50 - 120 | 0,904 € | 4,52 € |
| 125 - 245 | 0,816 € | 4,08 € |
| 250 + | 0,776 € | 3,88 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 244-1594
- Codice costruttore:
- IPD5N25S3430ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 180A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.4mΩ | |
| Modalità canale | P | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 180A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.4mΩ | ||
Modalità canale P | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon serie IPD, tensione massima della sorgente di drenaggio di 40 V, corrente di drenaggio continua massima di 180 A - IPD5N25S3430ATMA1
Questo MOSFET è un transistor di commutazione ad alta corrente progettato per le fasi di potenza elettronica più impegnative e per gli ambienti automobilistici, che offre una conduzione robusta e un comportamento di azionamento del gate controllato in un intervallo di temperatura esteso.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di drenaggio di 40 V consente la commutazione del sistema di alimentazione a bassa tensione
• La corrente di drenaggio continua di 180 A supporta carichi ad alta corrente
• La bassa Rds(on) di 1,4 mΩ riduce le perdite di conduzione nei percorsi a corrente elevata
• La dissipazione di potenza 81 W consente un carico termico sostenuto
• La carica gate tipica di 80 nC facilita l'energia di commutazione prevedibile
• La tolleranza del gate di 20 V accetta le comuni tensioni del gate drive
• La corrente di drenaggio continua di 180 A supporta carichi ad alta corrente
• La bassa Rds(on) di 1,4 mΩ riduce le perdite di conduzione nei percorsi a corrente elevata
• La dissipazione di potenza 81 W consente un carico termico sostenuto
• La carica gate tipica di 80 nC facilita l'energia di commutazione prevedibile
• La tolleranza del gate di 20 V accetta le comuni tensioni del gate drive
Applicazioni
• Adatto per inverter e stadi di propulsione automobilistici
• Ideale per le implementazioni dello stadio di uscita del convertitore CC-CC
• Utilizzato con moduli di gestione della batteria nei veicoli elettrici
• Può essere utilizzato per la commutazione di carichi ad alta corrente su circuiti stampati
• Utilizzato per gruppi di alimentazione a montaggio superficiale in ambienti difficili
• Ideale per le implementazioni dello stadio di uscita del convertitore CC-CC
• Utilizzato con moduli di gestione della batteria nei veicoli elettrici
• Può essere utilizzato per la commutazione di carichi ad alta corrente su circuiti stampati
• Utilizzato per gruppi di alimentazione a montaggio superficiale in ambienti difficili
Quali estremi termici può tollerare durante il funzionamento?
Funziona a temperature ambiente comprese tra -55 °C e 175 °C.
Quale tipo di contenitore e tipo di montaggio sono disponibili per l'assemblaggio?
È fornito in un contenitore TO-252 progettato per il montaggio superficiale.
Quale modalità di polarità e conduzione utilizza?
Il dispositivo utilizza un canale di tipo N che funziona in configurazione in modalità P.
È conforme alle norme ambientali o industriali?
È conforme ai requisiti RoHS e ai criteri AEC-Q101 per il settore automobilistico.
Quanti terminali sono disponibili per i collegamenti ai circuiti?
Fornisce tre pin per la connettività gate, drain e source.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ P 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ P 3 Pin Superficie IPD80R1K2P7ATMA1
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ N 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ N 3 Pin Superficie IPD25DP06LMATMA1
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ N 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ N 3 Pin Superficie IPD30N12S3L31ATMA1
- MOSFET Infineon 3 mΩ P 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 3 mΩ P 3 Pin Superficie IPD380P06NMATMA1
