MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.4 mΩ P, 180 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1295,00 €

(IVA esclusa)

1580,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 03 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,518 €1.295,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
244-1593
Codice costruttore:
IPD5N25S3430ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

P

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza MOSFET OptiMOSTM Infineon è un prodotto verde conforme a RoHS ed è certificato Automotive AEC Q101.

Canale N - Modalità di potenziamento

MSL1 fino a 260 °C di riflusso di

picco175 °C di temperatura d'

esercizio100% testato a valanga

Link consigliati