MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.4 mΩ N, 180 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD30N12S3L31ATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

6,60 €

(IVA esclusa)

8,05 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 85 unità in spedizione dal 25 maggio 2026
  • Più 1515 unità in spedizione dal 01 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 451,32 €6,60 €
50 - 1201,084 €5,42 €
125 - 2451,006 €5,03 €
250 - 4950,938 €4,69 €
500 +0,868 €4,34 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-1592
Codice costruttore:
IPD30N12S3L31ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza Infineon MOSFET OptiMOSTM per applicazioni automobilistiche è un prodotto ecologico conforme a RoHS ed è certificato Automotive AEC Q101.

Canale N - Modalità di potenziamento

MSL1 fino a 260 °C di riflusso di

picco175 °C di temperatura d'

esercizio100% testato a valanga

Link consigliati