MOSFET Infineon, canale Tipo P 75 V, 3 mΩ Miglioramento, 230 A, 3 Pin, TO-220, Superficie AUIRF6215

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
249-6870
Codice costruttore:
AUIRF6215
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

230A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

I MOSFET di potenza HEXFET di Infineon utilizzano le più recenti tecniche di lavorazione per ottenere una bassa resistenza di accensione per area di silicio. Questo vantaggio, unito alla rapida velocità di commutazione e alla struttura robusta per cui i MOSFET di potenza HEXFET sono ben noti, offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile da utilizzare nel settore automobilistico e in un'ampia gamma di altre applicazioni.

Tecnologia planare avanzata

Bassa resistenza all'accensione

Valore nominale dinamico dv/dt

Temperatura d'esercizio 175 °C

Commutazione rapida

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