MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 4.7 mΩ Miglioramento, 75 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF2805PBF
- Codice RS:
- 784-0274
- Codice Distrelec:
- 303-41-270
- Codice costruttore:
- IRF2805PBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 unità*
1,50 €
(IVA esclusa)
1,83 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 99 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
- Più 742 unità in spedizione dal 14 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,50 € |
| 10 - 24 | 1,43 € |
| 25 - 49 | 1,36 € |
| 50 - 99 | 1,28 € |
| 100 + | 1,21 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 784-0274
- Codice Distrelec:
- 303-41-270
- Codice costruttore:
- IRF2805PBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 75A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 330W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 150nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Altezza | 16.51mm | |
| Larghezza | 4.83 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 75A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 330W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 150nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Altezza 16.51mm | ||
Larghezza 4.83 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 75 A, dissipazione di potenza massima di 330 W - IRF2805PBF
Questo MOSFET di potenza offre prestazioni eccellenti per varie applicazioni elettroniche. Le sue robuste specifiche sono progettate per gli ambienti industriali, garantendo affidabilità ed efficienza. Con una bassa resistenza di accensione, questo componente supporta un'elevata capacità di corrente, rendendolo adatto a circuiti avanzati.
Caratteristiche e vantaggi
• Supporta una corrente di drenaggio continua massima di 75A
• Migliora l'efficienza con un basso RDS(on) di 4,7mΩ
• Compatibile con tensioni gate-source di +20 V/-20 V per una maggiore flessibilità
• In grado di raggiungere velocità di commutazione elevate per soddisfare le esigenze di prestazioni dinamiche
• Supporta la gestione ripetitiva delle valanghe per la resilienza operativa
Applicazioni
• Utilizzato negli azionamenti dei motori industriali per un efficace controllo della potenza
• Adatto alla gestione dell'energia nei sistemi di automazione
• Impiegato nei sistemi di energia rinnovabile per una commutazione efficiente
• Utilizzato in elettroutensili ad alte prestazioni e di lunga durata
• Applicabile nei sistemi di gestione delle batterie dei veicoli elettrici
Qual è la temperatura massima che questo componente può sopportare?
Può funzionare in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +175°C per garantire prestazioni in condizioni estreme.
Come gestisce questo MOSFET le applicazioni ad alta corrente?
È progettato per gestire una corrente di drenaggio continua di 75A, che lo rende adatto a richieste di corrente elevate.
Può essere utilizzato in applicazioni con requisiti di commutazione rapida?
Sì, questo MOSFET supporta velocità di commutazione elevate, ideali per le applicazioni che richiedono prestazioni dinamiche.
Questo dispositivo è adatto all'uso in inverter di potenza?
Sì, la sua stabilità termica e la capacità di gestire correnti elevate lo rendono adatto alle applicazioni degli inverter di potenza nei sistemi di energia rinnovabile.
Quali sono le implicazioni della sua bassa resistenza all'accensione?
La bassa RDS(on) riduce le perdite di potenza durante il funzionamento, contribuendo a migliorare l'efficienza e le prestazioni termiche.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 4.7 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 4.7 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 4.7 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IPP052N06L3GXKSA1
- MOSFET Infineon 75 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 75 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRFU024NPBF
- MOSFET onsemi 7 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET onsemi 8 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET onsemi 12 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
