MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 4 mΩ Miglioramento, 150 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRL7833PBF

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Codice RS:
688-7193
Codice costruttore:
IRL7833PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

150A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Dissipazione di potenza massima Pd

140W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.54mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.69 mm

Altezza

8.77mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

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