MOSFET Infineon, canale N, 4 mΩ, 150 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 688-7193
Codice costruttore:: IRL7833PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 4 mΩ, 150 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:: 688-7193
Codice costruttore:: IRL7833PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET N-ch HEXFET 30V
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	150 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.3V
Tensione di soglia gate minima	1.4V
Dissipazione di potenza massima	140 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	32 nC a 4,5 V
Materiale del transistor	Si
Altezza	8.77mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 4 mΩ, 150 A, TO-220AB, Su foro

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MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon

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