MOSFET Vishay, canale N 80 V, 2.8 mΩ Miglioramento, 150 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante SUP60020E-GE3

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Codice RS:
188-4929
Codice costruttore:
SUP60020E-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

150A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

SUP60020E

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

151.2nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.65mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.51mm

Altezza

9.01mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a 80 V (D-S) a canale N.

MOSFET di potenza TrenchFET®

Temperatura massima di giunzione di 175 °C.

Qgd molto basso riduce la perdita di potenza dal passare attraverso Vplateau

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