MOSFET Texas Instruments, canale N 80 V, 2.8 mΩ Miglioramento, 273 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante CSD19506KCS

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
827-4903
Codice costruttore:
CSD19506KCS
Costruttore:
Texas Instruments
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Marchio

Texas Instruments

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

273A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TO-220

Serie

NexFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

120nC

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.9V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.7mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

16.51mm

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza NexFET™ canale N, Texas Instruments


Transistor MOSFET, Texas Instruments


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